Какво е GaN технология и защо ви е необходимо GaN зарядно устройство?
Зарядните устройства от GaN или галиев нитрид са около три пъти по-ефективни от зарядните устройства на силициева основа при преобразуване на енергия в електричество, а също така са много по-малки и по-преносими, което им позволява да зареждат телефоните ви десет пъти по-бързо от обикновено зарядно устройство, което означава, че можете да ги носите със себе си навсякъде и пак да получавате повече енергия.

GaN е устойчив на високи температури, зарядните устройства издържат много по-дълго, като същевременно намаляват топлината, отделяна от устройството. Технологията GaN ще увеличи възможностите за производство на по-мощни устройства, използващи по-малко енергия в бъдеще, и те бързо станаха популярни като перфектни полупроводници сред зарядните устройства.

Основната причина, поради която зарядните устройства от GaN са предпочитани пред зарядните устройства на силициева основа, е, че те използват по-малко енергия, като преобразуват електричеството в променлив ток по-ефективно. Няма да мине много време, преди да видите зарядни устройства от GaN в смартфони и друга електроника. Samsung Electronics започна да използва зарядно устройство от GaN за своя смартфон Galaxy S4, пуснат по-рано тази година.

Силицийът е предпочитаният материал за транзистори от 80-те години на миналия век. Силицият абсорбира енергията по-добре от традиционно използваните материали, като вакуумни тръби.